09 abril 2010

Memristor

Hoy leyendo los periódicos por internet me he encontrado con esta noticia en ABC:

HP desvela la memoria de los ordenadores del futuro:

Un memristor, un hito logrado por los técnicos de HP / ABC
hoy Tecnología Actualizado Viernes , 09-04-10 a las 16 : 50

Investigadores de la compañía informática Hewlett-Packard (HP) han avanzando en el diseño de un tipo de interruptores que podrían reemplazar a los transistores utilizados para construir chips, para conseguir ordenadores más rápidos y eficientes en un futuro próximo.

Ésto sería posible gracias al memristor, un elemento de circuito pasivo que fue descrito en 1971 por el ingeniero Leon Chua, de la Universidad de California, pero que no fue construido hasta 37 años después. Un hito logrado por científicos de la firma tecnológica HP, que contaron la experiencia a la revista Nature en abril de 2008.

leer articulo completo...

Si tenéis más interés podéis mirar el siguiente artículo:

"Coupled Ionic and Electronic Transport Model of Thin-Film. Semiconductor Memristive Behavior"

Pongo esto aquí porque si os fijáis en la referencia numero [10] de este artículo está mi trabajo y me ha gustado por lo tanto encontrar este articulo publicado hoy.

Sobre el fenómeno en cuestión (difusión de dopantes) solo decir que a nosotros nos tenía en jaque porque queríamos evitarlo a toda costa en nuestro dispositivo pero fue imposible así que al final solamente nos quedo publicar el efecto. Supongo que el grupo de HP quedrá favorecer a toda costa este efecto pero creo que ellos están en el otro lado... El problema aquí es la temperatura ellos seguramente necesiten temperatura ambiente para trabajar (hacer memorias que consuman poca energía, una computación rápida...) y nosotros encestábamos una temperatura más alta por el roll del oxigeno ionizado en la superficie de un semiconductor pot lo tanto temperatura superior a 150° C. El problema que tendrán (si no ya estarían vendiendo la tecnología) es que a baja temperatura con los materiales que usan los dopantes no deben de difundirse casi nada por lo que necesitaran: Tamaños de dispositivos muy pequeños (problemas cuánticos), campos eléctricos muy muy muy grandes (esto acarrea otros problemas, electromigración) o temperatura elevada (mucho consumo de energía y problemas de compatibilidad térmica con la tecnología CMOS).

Ojala que algún día encuentren un material que se adecue a lo que están buscando, porque en mi opinión (con los materiales que conozco) a baja temperatura no van a conseguir difundir los dopantes por lo menos no lo suficientemente rápido. Así que el problema se les reducirá a esto.

Y bueno, si a alguien le interesa lo que estoy haciendo pues que me escriba un Email y se lo cuanto con más detalle y precisión.


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